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激光芯片

EUV光刻技术姗姗来迟 芯片厂商陷入两难

星之球激光 来源:电子工程世界2012-02-09 我要评论(0 )   

许多的经济规模实际上取决于扫瞄器能否达到一定的吞吐量阈值,而这就是我们付出许多心血之处,Arnold表示。如果这是一个只要付出大量心力就能解决的问题,我们终将解决...

  “许多的经济规模实际上取决于扫瞄器能否达到一定的吞吐量阈值,而这就是我们付出许多心血之处,”Arnold表示。“如果这是一个只要付出大量心力就能解决的问题,我们终将解决这个问题。”

  然而,如果短期内无法克服吞吐量的问题,芯片制造商们将别无选择,只能再进一步寻求扩展193 nm ArF光刻技术的替代方法。ArF光刻技术一直是过去十年来的主流途径。

  但这样做的代价不菲。制程工程师们已利用一些技术进行22nm节点的芯片制造,这些技术包括光学邻近校正(OPC)、相位移掩膜(PSM),以及最近的浸入式光刻技术、光源掩膜优化和双重曝光等。使用一组掩膜花费可能就高达2百万美元以上,是芯片设计实现量产时的最高成本之一。

  英特尔公司已下注于这项技术了。该公司希望在10nm节点的关键层利用EUV技术作为其主要的光刻技术,但另一方面也研究如何扩展ArF光刻技术至10nm的方法,根据英特尔公司研究员Vivek Singh表示。

  但英特尔必须很快地作出决定,究竟要不要为10nm制程建立两套设计规则──一套用于EUV,另一套则用于ArF?或是只选用其中一种?Singh补充道,“这就跟钱有关了。”

  英特尔的另一位研究人员Mark Bohr最近告诉我们,英特尔公司在扩展193nm浸入式光刻至10nm节点上已经得到令人振奋的结果了,但他并未透露进一步的细节。

  欧洲微电子研究中心(IMEC)一直是研究EUV光刻技术的旗舰中心,去年7月宣布开始采用ASML试产工具曝光EUV晶圆。但IME也进行其它应急措施;CEO Luc Van den Hove最近表示,IMEC将采用ASML最新的193nm浸入式光刻工具来处理光学光刻开发作业;一旦面临EUV无法用于14nm节点的情况下,这将可作为一项备用计划。

  但在14nm及更先进制程,采用光学浸入式光刻技术的双重图形方法无法提供足够的解析度来写入光罩特色;有时还必须使用到三倍、四倍或什至五倍图形。

  但以往只需要使用一个光罩的关键层,现在却得使用多达五个光罩──这将会为任何设计增加相当大的成本。但至于费用贵到什程度会成为问题,现在也还不清楚,因为EUV本身就不便宜。一些设备市场分析师指出,生产EUV工具的花费可能高达1亿美元以上。

  根据KLA的Haas表示,EUV技术的开发困境可能是'噩梦'一场,挑战着业界供应链的根本经济学。Haas警告,如果EUV光刻工具的吞吐量无法达到每小时超过30片晶圆,记忆体芯片制造商仍可能以该技术实现量产,但一般代工厂、逻辑芯片供应商以及其他厂商将被迫采用替代方案。这种分歧将迫使KLA及其他工具供应商以较销售预期更少的产量来摊销EUV光罩侦测工具及其它设备的开发成本,最终导致成本更高,而使潜在买主因天价而怯步或撤销购买计划。

  Haas认为,ASML公司最终将解决光源问题,并让EUV工具达到可进行商用生产的吞吐量。

  “我很乐观,而且我们也应该要乐观面对。因为我们都靠这项技术了。EUV光刻技术在经济上势在必行。”

  到了2015年时,我们就会知道是采取这种或哪一种方式了。

  但以往只需要使用一个光罩的关键层,现在却得使用多达五个光罩──这将会为任何设计增加相当大的成本。但至于费用贵到什程度会成为问题,现在也还不清楚,因为EUV本身就不便宜。一些设备市场分析师指出,生产EUV工具的花费可能高达1亿美元以上。

  根据KLA的Haas表示,EUV技术的开发困境可能是'噩梦'一场,挑战着业界供应链的根本经济学。Haas警告,如果EUV光刻工具的吞吐量无法达到每小时超过30片晶圆,记忆体芯片制造商仍可能以该技术实现量产,但一般代工厂、逻辑芯片供应商以及其他厂商将被迫采用替代方案。这种分歧将迫使KLA及其他工具供应商以较销售预期更少的产量来摊销EUV光罩侦测工具及其它设备的开发成本,最终导致成本更高,而使潜在买主因天价而怯步或撤销购买计划。

  Haas认为,ASML公司最终将解决光源问题,并让EUV工具达到可进行商用生产的吞吐量。

  “我很乐观,而且我们也应该要乐观面对。因为我们都靠这项技术了。EUV光刻技术在经济上势在必行。”

  到了2015年时,我们就会知道是采取这种或哪一种方式了。

  但以往只需要使用一个光罩的关键层,现在却得使用多达五个光罩──这将会为任何设计增加相当大的成本。但至于费用贵到什程度会成为问题,现在也还不清楚,因为EUV本身就不便宜。一些设备市场分析师指出,生产EUV工具的花费可能高达1亿美元以上。

  根据KLA的Haas表示,EUV技术的开发困境可能是'噩梦'一场,挑战着业界供应链的根本经济学。Haas警告,如果EUV光刻工具的吞吐量无法达到每小时超过30片晶圆,记忆体芯片制造商仍可能以该技术实现量产,但一般代工厂、逻辑芯片供应商以及其他厂商将被迫采用替代方案。这种分歧将迫使KLA及其他工具供应商以较销售预期更少的产量来摊销EUV光罩侦测工具及其它设备的开发成本,最终导致成本更高,而使潜在买主因天价而怯步或撤销购买计划。

  Haas认为,ASML公司最终将解决光源问题,并让EUV工具达到可进行商用生产的吞吐量。

  “我很乐观,而且我们也应该要乐观面对。因为我们都靠这项技术了。EUV光刻技术在经济上势在必行。”

  到了2015年时,我们就会知道是采取这种或哪一种方式了。

 

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