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激光芯片

10.7Gb/s红外波长 InGaAs APD 光探测器芯片

星之球科技 来源:雷邦光电2011-07-18 我要评论(0 )   

产品介绍 该型InGaAs APD 光探测器芯片是针对10.7Gb/s数率光传输应用的宽带器件。配合使用低噪转阻放大器(TIA),其特征10Gb/s敏感性好于-26dBm。正面照射的芯片设计保...

产品介绍

 

该型InGaAs APD 光探测器芯片是针对10.7Gb/s数率光传输应用的宽带器件。配合使用低噪转阻放大器(TIA),其特征10Gb/s敏感性好于-26dBm。正面照射的芯片设计保证了低暗电流及高可靠性。该芯片产品通过了Telcordia GR-468 CORE资格认证。
 

产品特征

  • 9 GHz 特征带宽
  • 50 nA 特征暗电流
  • 0.2pF低特征电容
  • 可探测1250 至1620纳米波长
  • 符合Telcordia 资格

产品应用

· 10Gbps SONET/SDH

· 10G 以太网与光纤通道

· WDM, CWDM 与DWDM

· 模拟连接

 


 

 

 

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