当前，AI大模型规模化部署正带动算力集群呈爆发式增长，数据中心光互联体系也随之加速迭代：800G进入规模商用，1.6T开启大规模交付，3.2T已步入送样验证阶段。与此同时，CPO共封装光学、硅光外置光源ELS等前沿技术，正从实验室验证加速走向工程化落地。

超高速光互联对核心光源器件的考验异常严苛——既要具备超高速调制能力，又要兼顾高输出功率、窄线宽、低RIN噪声，还要在宽温度范围内稳定工作。在这一背景下，高速EML和大功率CW连续波激光器已成为产业链上供需最紧俏的核心元器件，高端光芯片的供给能力，也日益成为制约国产产业链自主发展的关键短板。

面向下一代AI数据中心光互联的产业刚需与技术瓶颈，武汉光安伦光电技术有限公司正式推出三款高性能半导体激光器新品。产品覆盖高速调制EML与高功率连续CW光源两大主流技术路线，完整适配超高速光模块、硅光外置光源ELS、共封装光学CPO等前沿应用场景，为AI智算基础设施提供关键的国产光源芯片解决方案。

400G EML：面向1.6T/3.2T的单通道400G高速芯片

  400G EML 芯片

面向1.6T、3.2T超高速光模块的演进需求，光安伦400G EML芯片基于磷化铟（InP）材料平台，将DFB激光器与EA电吸收调制器单片集成，单通道即可实现400G速率输出。在调制性能上，它支持180G Baud和226G Baud PAM4信号，采用差分调制方案，工作于1310nm O波段，3dB调制带宽超过95GHz，兼具高速响应与低信号失真的特性。这颗芯片为下一代可插拔超高速光模块提供了性能扎实的调制光源，也为AI算力集群内部海量数据的高速互联夯实了物理层基础。

  400G EML E/O响应曲线

200mW CW连续波DFB激光器：硅光ELS外置光源优选方案

  200mW CW 激光器芯片

面向硅光方案大规模商用对高功率、低噪声载波光源的迫切需求，光安伦200mW CW激光器采用InP/InGaAsP材料体系和BH掩埋异质结结构，内部集成了DFB激光器与SOA放大单元。在0~75℃宽温区条件下，输出光功率稳定在200mW以上，线宽控制在100~200kHz，SMSR大于45dB，在10MHz~40GHz范围内RIN优于-150dB/Hz（平均优于-155dB/Hz），TE偏振消光比超过20dB。稳定的功率输出和优异的噪声特性，使其能够有效补偿硅光波导及耦合链路带来的损耗，成为硅光ELS外置光源方案中一颗可靠的核心器件，为高带宽数据中心互联提供扎实的光源支撑。

  200mW CW P-I曲线（25℃/50℃/75℃）

  200mW CW 线宽测试

  200mW CW RIN测试曲线

400mW CW高功率DFB激光器：支撑CPO与多通道光源汇聚

  400mW CW 激光器芯片

同样基于InP/InGaAsP材料体系，这款400mW CW高功率激光器采用DFB+SOA集成BH结构，工作于1310nm O波段。输出光功率可达400mW以上，线宽低至约65kHz，SMSR大于45dB，在10MHz~40GHz范围内RIN优于-150dB/Hz（平均优于-155dB/Hz），TE偏振消光比超过20dB。单颗芯片就能同时为多个通道提供稳定光载波，这一超高功率特性，让CPO、硅光ELS以及多通道光源汇聚等方案在部署时，可以大幅减少所需光源数量，从而有效节省空间、降低功耗和系统成本，也正好契合CPO高密度封装、高集成度的发展方向，为光电共封装方案的工程化落地提供了功率充足的"光源引擎"。

  400mW CW P-I曲线（50℃）

  400mW CW 线宽测试

  400mW CW RIN测试曲线

目前，800G持续放量，1.6T进入规模出货，CPO与硅光ELS也陆续步入工程验证阶段。光源芯片的输出功率、相位噪声、线宽以及宽温区下的可靠性，正成为决定整套光互联系统性能上限和长期稳定性的关键变量。光安伦本次发布的三款新品，同时覆盖高速信号调制与大功率连续输出两大方向，全面契合800G/1.6T/3.2T光模块、硅光外置光源、CPO等多条主流技术路径，进一步补齐了国产在高速EML、大功率CW光源领域的产品布局。对国内光通信产业链而言，这意味着在上游核心芯片环节，多了一份可靠的选择，也多了一份持续突破的底气。