生长晶体一般需要2周或者更长的时间。在晶体生长期间，坩埚杂质可能会进入到熔体中，然后进入晶体。若用Czochralski晶体生长法制备直径大于 6in的单晶毛坯，并且要求没有过大应力和结晶断口，则要攻克许多技术难关。例如，在Nd:YAG晶体生长过程中产生一个贯穿毛坯晶体中心的高应力核心区 域。毛坯中心的这种残余应力会产生不希望出现的波前畸变，因此限制了晶体的尺寸。

    陶瓷烧结法比Czochralski晶体生长法有很多优点。首先是将高纯度YAG纳米粉末形成所要求的形状，然后在真空中烧结成陶瓷，整个过程只需 24h。此外，陶瓷产品的尺寸只受生产设备的限制。陶瓷所具有的优良特性类似于激光玻璃， 而陶瓷的导热率和玻璃相比，有明显的增加，且有更强的耐热损伤性能。目前获得的这种具有高导热率和优质光学质量的大激光增益介质，预期会对高平均功率激光 系统以及对未来高能存储激光系统产生重要的影响。与熔液生长技术相比，陶瓷烧结技术能保持更高的掺杂浓度，这在微芯片激光器应用方面是非常重要的。晶粒尺 寸小能使高浓度钕掺杂所产生的应力，以短距离在晶粒边界处减轻。此外，在母体基质材料中掺杂物质的浓度在最终的陶瓷成品中保持不变，这一点优于 Czochralski法。这是因为在Czochralski晶体生长中，较多的掺杂物质的离子通常被阻挡滞留在晶体。