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短波长红外成像仪简介和应用领域

星之球科技 来源:旭扬激光2012-08-24 我要评论(0 )   

人们对于短波长红外成像仪的爱好日益增长,与短波长红外成像仪在这一特定光谱区域上的应用日趋增多密不可分。贸易上感爱好的波长范围是在约1.1m的硅带隙极限到2m之间的...

      人们对于短波长红外成像仪的爱好日益增长,与短波长红外成像仪在这一特定光谱区域上的应用日趋增多密不可分。贸易上感爱好的波长范围是在约1.1μm的硅带隙极限到2μm之间的波段,由于水对于这一光谱区域的吸收较小。用于短波长红外成像的光电二极管通常是由锗或化合物半导体(如InGaAs)制成,而工艺复杂的量子井红外光电探测器则用于多波长探测。然而,由于制作探测器阵列要使用非硅半导体材料,因此高分辨率短波长红外成像依旧本钱高昂。假如能降低制造本钱或解决低带隙半导体材料的供给等一些关键限制因素,那么短波长红外成像就具有广泛应用的巨大潜力。


      有机电子器件很有潜力成为固态器件的一种颇受关注且本钱低廉的替换物。在可见光谱区成像中,由溶液半导体制成的有机电子器件已经表现出了颇具远景的成像效果。最近的研究表明,工艺简单的喷溅涂覆是批量制造具有高二极管整流和高量子效率的有机光电二极管的有效方法。然而,对于波长大于1μm的短波长红外成像应用,低带隙有机吸收体的吸收能力不足以制造短波长红外二极管。将纳米晶半导体微粒作为短波长红外吸收体植进有机半导体阵列中,以此形成的混合物二极管兼具了有机电子器件和胶质纳米晶体的本钱上风。将这些混合物有机光电二极管集成在非晶硅成像器底板上,形成一个用于短波长红外成像的平板成像器,其可用于产生视频。

 

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