激光退火（Laser Annealing）是28nm及以下逻辑芯片制造前道工序中不可缺少的关键工艺之一。该工艺采用近红外波段半导体激光光源，通过多组不同功能的激光光学整形系统及光学匀化系统，在工作距离下可达成12mm*70μm的极窄线激光光斑，将形成的高能量密度极窄激光光斑照射到晶圆表面，在不到1毫秒的时间内将表层原子层加热到1000°C以上再急速冷却，从而有效减少前道工序中产生的晶圆电极缺陷，提高产品性能，提升晶圆生产良品率。

炬光科技推出的DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统，结合了产生光子的共晶键合技术、激光光源热管理技术、热应力控制技术以及调控光子的激光光束转换技术和光场匀化技术，可生成一条线宽70μm，长宽比达160:1的近红外波段极窄线光斑，提供高达1800W/mm²的连续能量输出，在光斑长度方向上可达到＞95%的光斑均匀性和＞98%的连续输出能量稳定性，同时还具备工艺点温度监测，输出光束质量在线检测等附加功能。

其关键性能指标有（参考图片测试数据）：

DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统在设计时充分考虑了加工效率、维护便捷性、产品可靠性及可拓展性，具有极佳的性能优势，可应用在半导体前道工序中，完成动态表面退火（DSA）、激光尖峰退火（LSA）等加工工艺。 

典型产品测试数据

DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统

炬光科技将通过技术创新、卓越制造和快速响应，为成为全球可信赖的光子应用解决方案提供商而不断努力。