阅读 | 订阅
阅读 | 订阅
激光芯片

10.7Gb/s红外波长 InGaAs APD 光探测器芯片

星之球科技 来源：雷邦光电2011-07-18 我要评论(0 )   

产品介绍 该型InGaAs APD 光探测器芯片是针对10.7Gb/s数率光传输应用的宽带器件。配合使用低噪转阻放大器（TIA），其特征10Gb/s敏感性好于-26dBm。正面照射的芯片设计保...

产品介绍

 

该型InGaAs APD 光探测器芯片是针对10.7Gb/s数率光传输应用的宽带器件。配合使用低噪转阻放大器（TIA），其特征10Gb/s敏感性好于-26dBm。正面照射的芯片设计保证了低暗电流及高可靠性。该芯片产品通过了Telcordia GR-468 CORE资格认证。
 

产品特征

  • 9 GHz 特征带宽
  • 50 nA 特征暗电流
  • 0.2pF低特征电容
  • 可探测1250 至1620纳米波长
  • 符合Telcordia 资格

产品应用

· 10Gbps SONET/SDH

· 10G 以太网与光纤通道

· WDM, CWDM 与DWDM

· 模拟连接

 


 

 

 

转载请注明出处。

暂无关键词
分享到：QQ空间新浪微博
免责声明

① 凡本网未注明其他出处的作品，版权均属于激光制造网，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。获本网授权使用作品的，应在授权范围内使 用，并注明"来源:激光制造网”。违反上述声明者，本网将追究其相关责任。
② 凡本网注明其他来源的作品及图片，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本媒赞同其观点和对其真实性负责，版权归原作者所有，如有侵权请联系我们删除。
③ 任何单位或个人认为本网内容可能涉嫌侵犯其合法权益，请及时向本网提出书面权利通知，并提供身份证明、权属证明、具体链接(URL)及详细侵权情况证明。本网在收到上述法律文件后，将会依法尽快移除相关涉嫌侵权的内容。

相关文章
网友点评
0 条相关评论
热门资讯
精彩导读