近日，西安立芯光电科技有限公司成功研制出1060nm超辐射发光二极管（SuperLuminescentDiode，SLD）芯片，关键指标达到国际同类产品水平。

1060nmSLD芯片是光纤激光器的理想种子源。宽谱SLD型工作模式使其在注入光纤激光系统时，能有效抑制放大过程中的受激布里渊散射（StimulatedBrillouinScattering，SBS）效应，突破系统峰值功率的上限，适用于高端精密制造、科学研究及工业检测等应用场景。该芯片长期被美国Coherent等国际巨头垄断，国内相关产业链存在“卡脖子”风险，严重制约了我国高端激光装备的自主发展。

西安立芯光电科技有限公司研发团队经过深入攻关，攻克了外延材料生长、波导弯曲角度优化、腔面镀膜等一系列关键工艺难题，成功制备出高功率1060nmSLD芯片。经测试，该芯片在CW模式下，输出功率＞700mW，3dB带宽＞20nm，如图1所示，优于国际同类产品10nm的3dB带宽，在抑制光纤激光系统SBS效应方面具有显著优势。