中辉激光研发总监陆俊博士

随着半导体制造向更先进节点演进，晶圆厂对EUV光刻机的能耗、占地面积与开机率提出了严苛要求。现役LPP-EUV光源依赖庞大的CO₂气体激光系统作为主脉冲驱动源，其较低的电光转换效率与高昂的运维成本，已成为制约产线能效提升的瓶颈。单台EUV设备功耗通常高达1.5至2兆瓦，大型晶圆厂数十台设备并行运转，对电网及运营成本造成了巨大压力。

在此背景下，全固态激光驱动路线展现出显著的潜力。陆俊博士在报告中指出，近年来的验证表明，1μm与2μm固态驱动光源的转换效率（CE）可达到4.7%，已接近目前量产CO₂激光技术的水平。更重要的是，固态激光在光电转换效率上具备先天优势，目前约10%，未来基于碟片技术持续优化有望向20%迈进，将大幅降低晶圆厂的电能消耗。

此外，驱动波长从10.6μm降至1~2μm，不仅能缩小等离子体尺寸，从而降低对光刻物镜NA值的设计要求，其极强的集成热管理能力也能让整个光源系统的尺寸大幅缩减，整体架构更紧凑、高效。

作为国内领先的碟片激光器与解决方案供应商，中辉激光围绕高功率、大能量、高可靠等关键需求，在六大底层核心技术上取得显著进展。

面向EUV光源系统，中辉激光目前已构建涵盖预脉冲与主脉冲的全固态激光产品矩阵。针对EUV光源约400W的预脉冲需求，中辉超快系列平台（纳秒、皮秒、飞秒）最高功率可达千瓦以上，能提供精度更高的适配方案。

在主脉冲领域，公司依托“前端脉冲控制+预放+多通主放”的混合放大技术路线，目前已成功实现桌面级2kW纳秒激光输出，并计划于明年年底向桌面级万瓦（10kW）量级迈进。

从预脉冲到主驱动，从千瓦级到万瓦级，中辉激光正稳步推进全固态LPP-EUV驱动光源的工程化落地，旨在加速国内相关工艺制程的验证，为国产下一代光刻光源架构提供坚实的技术支撑。