第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
氮化镓GaN已在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低压领域（0-900V）率先商用，替代传统的硅基功率器件。更有实验室宣布最新工作电压可达1200V的硅基GaN外延片，如若该技术商业化顺利，1000V以上中高压领域，硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。
新能源汽车为碳化硅SiC的最重要应用领域，如主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。相较于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET电动车的续航里程更长。EPA城市路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，将节省77%的能量损耗。EPA高速路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能耗节省直观增加车辆续航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。
目前我国厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节。整体来看我国第三代半导体全产业链自主可控能力较强。
氮化镓GaN单晶生长困难问题有何良策？
氮化镓GaN何时可提升其射频市场的渗透率？
碳化硅良率提升问题如何解决？
.......
更多您关心的第三代半导体尽在12月9日 深圳国际会展中心(宝安新馆)“ 第三代半导体产业发展高峰论坛 ”诚邀您听会交流
同期峰会预告：
2021第四届“5G&半导体产业技术高峰会
时间：2021年12月8下午13:30-17:30日 地点：深圳国际会展中心（宝安）
时间 | 议题 | 演讲者 |
主持人：北京大学博导 胡国庆教授 | ||
13:00-13:20 | 参会代表进场 | |
13:20-13:40 | 主办方致辞 | |
13:40-14:00 | “中国芯”驱动世界精彩 | 中芯国际 |
14:00-14:20 | 趋势而行 浅谈汽车存储的安全之路 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 工业存储事业部经理 |
14:20-14:40 | AI技术在半导体行业的应用与发展 Application and development of AI technology in the semiconductor industry | 思谋科技商务总监•赵安 |
14:40-15:00 | 缺陷检测方案助力集成电路工艺-SMEE缺陷检测产品 | 上海微电子装备集团 周许超*自动光学检测平台经理 |
15:00-15:20 | 研磨划片切割废水循环回用，零排放 | 华清环保 总经理•丁山清博士 |
15:20-15:40 | 《芯设计·芯制造·芯竞争——芯时代下半导体企业如何提升研产销、供应链协同的流程管理能力》 | 鼎捷软件电子半导体事业部-副总经理 賴建安 |
15:40-16:00 | 主题自拟 | 联想凌拓科技有限公司 |
16:00-16:20 | AOI技术在半导体领域的应用 | 苏州镁伽科技有限公司 |
16:20-16:40 | AIOT多核异构HK32MCPU为核心 打造航顺无边界生态平台级企业 | 航顺半导体•白海英 执行副总裁 |
观听请联络：13543266785 贾小姐
转载请注明出处。
相关文章
热门资讯
精彩导读
关注我们
