国外研究现状和发展趋势
 
红外焦平面技术与红外光电子学为了满足红外信息获取技术发展需求，美国等发达国家在频谱波段上积极探索“无缝隙探测”。在微波/毫米波、可见光/中波红外/长波红外等波段探测方面取得了长足进展，并已形成了以下基本发展态势：
 
红外焦平面列阵技术首先在美国、法国和英国等发达国家，基于窄禁带半导体碲镉汞材料的单波段红外焦平面器件技术已经成熟，以288×4元长波和256×256元中波为代表的焦平面器件已基本取代了多元光导线列通用组件。256×256元碲镉汞焦平面探测器已实现工程应用。并已经向更大规模的凝视型面阵焦平面探测器、双色探测器发展。长波器件已达到256×256元的规模，中、短波器件达到了512×512元甚至2048×2048元的规模；长线阵的扫描型焦平面因其在空间对地观测方面需求而受到高度重视，针对不同应用目标，1500元红外中长波、3000元红外短波、4000元红外长波以及6000元红外中、短波长线列焦平面器件纷纷问世。
 
鉴于碲化汞化学键的脆弱，碲镉汞材料相对另一类成熟光电子半导体砷化镓材料而言，在材料与器件工艺成熟性与可控性方面显得明显不足。为此在上世纪90年代初，人们采用能带工程开始尝试基于量子阱中子带跃迁的红外探测器件，希望缓解碲镉汞材料先天不足和工艺成熟性欠佳导致的技术问题。依然是以美国为代表的发达国家在长期积累的碲镉汞焦平面技术基础上，充分利用砷化镓基材料与器件工艺的成熟性很快将量子阱红外焦平面探测器推到了工程化应用程度。红外长波256×256元和红外甚长波128×128元器件相继成功，同时由于砷化镓基量子阱红外探测器具有比碲镉汞器件明显优越的抗空间高能粒子辐照能力，在空间红外光电技术应用方面显示出了很强的竞争力。与此同时，由于能带工程在低维半导体结构中给人们带来的优化设计可能性，人们还实现了将量子阱红外探测器与近红外发光二极管的集成，从而可以将所探测的红外光转化为硅探测器可以探测的近红外或可见波段的光辐射，为此将传统红外焦平面技术中部分困难工艺环节通过转换成硅凝视成像器件予以完成，进一步缓解了碲镉汞工艺成熟性不足导致的技术问题。依然是从应用需求出发，红外焦平面技术发展的另一十分重要的方向是提升器件工作温度。因此，非致冷红外焦平面技术也在近10年得到了快速发展。

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