8 月 11 日晚间，陕西源杰半导体科技股份有限公司发布重磅对外投资公告，公司计划在陕西省西咸新区沣西新城建设源杰半导体科技产业园项目，项目总投资额约 42.68 亿元（含土地出让金），建成后将大幅扩充高端激光器芯片产能，全面承接 AI 数据中心高速光互连旺盛需求。

叠加今年 2 月落地的 12.51 亿元光芯片二期基地、50G 光芯片募投项目增资，公司年内累计规划扩产总规模超 63 亿元，国产高速光芯片产能建设驶入快车道。

根据公告内容，本次产业园项目选址西咸新区沣西新城，规划用地约 126 亩，土地性质为工业用地，使用年限 50 年，整体建设周期 24 个月。项目将打造集激光器芯片标准化产线、生产厂房、研发配套设施于一体的综合性产业化基地，聚焦高速 DFB、EML、大功率 CW 激光器芯片研发量产，核心目标是打破现有产能瓶颈，提升高端芯片规模化交付能力，夯实全球市场竞争地位。

该项目资金来源为自有资金与自筹资金，不涉及募集资金投入；目前该议案已通过公司董事会各专门委员会及董事会审议，尚需提交股东大会表决，同时还需依次完成用地备案、环评、规划、施工许可等系列行政审批流程。

依托完整 IDM 垂直制造体系积淀，源杰科技产品矩阵已全面覆盖 2.5G-200G 全速率光芯片赛道，在全球市场稳居前列：2025 年公司位列全球第六大激光器芯片供应商、全球第二大硅光高速光互连激光器芯片厂商。

产品层面，公司 70mW、100mW 大功率 CW 激光器已实现大批量出货，面向下一代 CPO 场景的 300mW 高功率光源稳步研发；100G PAM4 EML 芯片顺利完成客户验证，200G PAM4 产品进入客户测试阶段，产品广泛供货中际旭创、新易盛、光迅科技等头部光模块厂商，终端覆盖华为、中兴以及海外主流云服务商。

旺盛订单直接带动公司业绩爆发。公司半年预告显示，2026 年上半年预计实现营收 9 亿元 - 9.5 亿元，归母净利润区间 6 亿元 - 6.5 亿元，同比增幅高达 1197%—1305%，上半年盈利规模已是 2025 年全年净利润三倍以上。充沛的经营现金流，为公司大规模固定资产投入提供了坚实支撑。

回溯年内布局节奏，源杰科技早已开启阶梯式产能扩充：2 月公司宣布投资 12.51 亿元建设光电通讯半导体芯片研发生产基地二期，建设期 18 个月；同步上调 50G 光芯片产业化项目投资额，总规模由 4.87 亿元增至 7.57 亿元，大幅扩充高端设备采购投入。叠加本次 42.68 亿元产业园项目，公司构建起梯度化产能落地节奏，短期产能快速释放、中长期大规模产业园承接远期算力需求，兼顾交付稳定性与长期产业布局。

公告称，从经营发展角度看，实施本项目能够进一步提升生产效率和产品稳定性，形成稳定的高端激光器芯片规模化供应能力，以满足国内外客户持续增长的产品需求，这不仅有助于巩固公司在现有市场的竞争优势，也为把握行业技术升级带来的市场机遇创造了有利条件。同时，通过产能提升与工艺优化，增强公司的整体盈利能力与抗风险能力，为可持续发展奠定更坚实的基础。

源杰科技表示，本次投资项目的实施，旨在通过优化产能布局与生产工艺，提升公司在高端激光器芯片领域的综合供应能力。项目建成后，将有助于公司把握市场增长机遇，满足客户在数据中心建设等领域持续提升的产品需求，增强订单交付的稳定性与响应速度。