日前，苏大维格团队带着公司自主研发的激光图形化直写设备MiScan200前往欧洲交付调试，团队凭借专业的技术能力及严谨的工作态度深受客户好评。
据了解，苏大维格本次向欧洲提供的MiScan激光图形化直写设备（8吋）省去了繁琐的掩膜加工步骤，提供快速，高效和低成本光刻直写制程的解决方案，尤其对于有光刻Mask外协需求的用户来说，可以自制相应的Mask降低成本或提升研发速度需求；本产品采用大功率半导体激光光源，长寿命、低功耗；用户操作界面友好灵活，支持多种版图设计格式；可根据自身的加工需求，方便灵活的选用不同的投影倍率和不同调制方式实现多种模式图形制备。通用型MiScan产品（单次曝光0.5um分辨率光刻，支持多次曝光），支持多重对准套刻（0.35um－0.5um）套刻精度和翘曲衬底（0－100微米）图形光刻，尤其适合MEMS器件、功率器件和射频器件等厚胶套刻。
此外，面向光电子、柔性电子和新材料领域，苏大维格提供从4＂－70＂的紫外微纳3D光刻直写解决方案和高端装备，包括支持灰度光刻（微纳3D形貌）、微纳混合光刻（特征结构90nm或更小）和大面积微纳图形直写（高速光刻）。
据了解，苏大维格本次向欧洲提供的MiScan激光图形化直写设备（8吋）省去了繁琐的掩膜加工步骤，提供快速，高效和低成本光刻直写制程的解决方案，尤其对于有光刻Mask外协需求的用户来说，可以自制相应的Mask降低成本或提升研发速度需求；本产品采用大功率半导体激光光源，长寿命、低功耗；用户操作界面友好灵活，支持多种版图设计格式；可根据自身的加工需求，方便灵活的选用不同的投影倍率和不同调制方式实现多种模式图形制备。通用型MiScan产品（单次曝光0.5um分辨率光刻，支持多次曝光），支持多重对准套刻（0.35um－0.5um）套刻精度和翘曲衬底（0－100微米）图形光刻，尤其适合MEMS器件、功率器件和射频器件等厚胶套刻。
此外，面向光电子、柔性电子和新材料领域，苏大维格提供从4＂－70＂的紫外微纳3D光刻直写解决方案和高端装备，包括支持灰度光刻（微纳3D形貌）、微纳混合光刻（特征结构90nm或更小）和大面积微纳图形直写（高速光刻）。
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