芯维(山东)科技有限公司成功自主研发高功率深紫外(DUV)激光器，输出功率达到1.2W，该项研究填补了技术空白，改变了此前该领域由海外供应商主导的格局，为国内半导体产业链安全及高端装备国产化提供了新的支撑点。

深紫外激光器是高端半导体芯片前道检测设备(如掩模检测、晶圆缺陷检测等)不可或缺的核心光源，技术门槛高，国内市场长期被欧美日企业垄断，成为制约我国芯片产业自主发展的“卡脖子”难题。芯维科技自主研发的高抗灰迹BBO(偏硼酸钡)晶，在深紫外激光器应用中将使用寿命显著延长至3000小时以上，关键性能指标达到行业领先水准，相关成果已申请项国家发明专利，其技术先进性与创新性得到业内多家企业的认可与高度评价，采用独创工艺，突破了核心器件技术瓶颈。

芯维(山东)科技有限公司深紫外激光器项目团队成员来光电、材料、机械等多个专业，在校企协同创新模式下，团队成员共同攻克了关键难题，展现出我国在高端科技领域人才培养与产学研融合的创新活力。团队历时两年潜心攻关，突破技术瓶颈，为我国深紫外激光产业发展开辟了新篇章。

芯维科技正积极规划产能扩张，将进一步降低对海外供应链的依赖，为国产半导体装备体系增加一条相对安全、可控的核心器件通道，对打破国际垄断、提升产业链供应链韧性与安全水平、支撑国家信息产业高质量发展具有深远的战略意义。