激光制造网2月5日消息：近日本站从中科院半导体研究所获悉，2013年2月1日，中科院计划财务局和高技术局组织专家对该所“高效大功率GaN LED外延及芯片技术” “低电压垂直结构GaN LED芯片技术”“ 深紫外LED关键材料及器件技术”及“ MOCVD重大装备技术”等四项科技成果进行了鉴定。

　  成果鉴定会上，由多位院士组成的鉴定委员会委员听取了半导体所做的技术总结报告、测试报告、技术查新报告及用户使用报告，审查了相关材料，最终分别对四项成果形成了鉴定意见，各项成果综合研究指标均达到国内领先、国际先进水平，整个鉴定工作圆满完成。

　  此次成果鉴定是半导体所在半导体照明领域自2006年至2012年六年的成果累计，半导体照明研发中心结合产业的实际情况，针对不同企业会对技术有不同的需求，特别是对单项技术的需求，对不同时期、不同类型的十余项国家项目进行了高度凝练，总结出各自具有系统性集成化的单项科学技术，以便未来成果顺利转移转化，为产业提供有力的技术支撑。