本报讯 （记者李春莲）近日，硅来半导体（武汉）有限公司（以下简称“硅来”）第三批兼容12英寸碳化硅衬底激光剥离量产设备顺利交付客户。本次交付标志着硅来超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术已经成功通过产业化检验，将为碳化硅产业发展注入新的动能。

    作为第三代半导体代表材料，碳化硅具有禁带宽度大、熔点高、热导率高等性能优势，在高温、高压、高频条件下表现优异，广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等领域，并有望作为最理想的AR镜片材料、先进封装中介层材料等推动多个领域的技术变革。与6英寸衬底相比，8英寸和12英寸碳化硅衬底能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，在同等生产条件下，可以显著提升产量、降低成本。

    据了解，硅来核心研发团队来自华中科技大学激光学科，技术创新能力强，且深耕激光产业多年。团队自主创新激光剥离技术，对莫氏硬度高达9.5，接近于金刚石的SiC单晶，先后推出6英寸、8英寸和12英寸碳化硅衬底激光剥离量产设备，解决了大尺寸、尤其是超大尺寸碳化硅衬底加工的技术难题，效率和损耗显著优于传统线切割工艺。

    不到半年时间，硅来累计出货数十套设备，广泛覆盖国内多家头部碳化硅企业。得益于模块化的设计和产业协同，硅来半导体已实现规模化量产，设备的批量交付周期为28天，未来有望缩短至14天。

    值得一提的是，硅来已经成功引入武汉帝尔激光科技股份有限公司等战略投资者。未来，硅来将聚焦半导体激光装备核心赛道，持续优化SoC光源、自由曲面光路等核心技术，深化与帝尔激光的协同创新，以更先进的技术、更优质的服务赋能碳化硅衬底产业发展。