3 月 23 日，据韩媒报道，三星电子已开始采购应用飞秒激光技术的晶圆切割设备。这些设备包括用于在晶圆上开槽的 " 开槽 " 设备与一次性完成切割的 " 全切 " 设备，仅初期导入数量就至少达 10 台以上。设备计划引入进行先进半导体封装的天安园区，目前正在准备采购订单。

三星电子于去年第二季度首次在半导体切割工艺中引入飞秒激光切割，当时设备仅有数台。在验证了性能与生产力改善成果后，公司决定扩大应用。三星计划将飞秒激光切割优先应用于 HBM4 制程，以提高 HBM4 的良率与生产效率。

近期三星电子已开始量产供应 HBM4。随着进入大规模生产转换阶段，预计对飞秒激光切割的需求也将同步扩大。此外，据称三星还在考虑将飞秒激光切割引入 NAND 闪存与系统半导体等 DRAM 以外的产品。三星电子的飞秒激光切割供应链将由韩国企业 EO Technics 与日本 Disco 共同承担。