在高驱动电流下GaN的效率降低了，关于这个下降起源的争论一直在持续着，光电流测量为它带来转机。

据估计，由InGaN量子阱谐振光激励生成的载流子限制了LED,使它不具备这个特定的层结构。但来自RPI的FredSchubert及合作伙伴展示了这些受光激发的载流子能从阱中泄露出去，即便是当这些结构长得不偏不倚的。

这个发现为LED下降的早期性实验研究投下了阴影。Schubert小组之前宣布电子泄露是下降的原因，他们猜想，在一个InGaN/GaN异质结构中，它所含InGaN层的谐振光激励不能导致载流子逃逸，就如实验说明的。PhilipsLumi作相同的猜想，他们宣称光学实验揭示了俄歇式复合导致了下降问题。

RPI现在的观点是，他们的实验无法决定到底哪个才是下降的原因，俄歇复合还是载荷逃逸?

这个光电流实验用到的是一个300×300μm器件，器件内含一个常规的InGaN/GaN多量子阱以及一个电子阻挡层。当使用405nm的光源泵浦时，这些406nmLED可在全偏条件下产生明显的光电流，在激发功率是1mW时，零偏压器件的光电流超过15μA.

一些LED团体的研究人员认为，不同的样品才是导致不同下降起源的根本原因;为了解决这个问题，RPI开始调查这些来自其他制造商的样品，Fred的儿子Martin Schubert表示，“我们测量所有样品在谐振激励下的载流子逃逸”.

现在这个小组打算重温早期的工作，包括外量子效率和光致光效率之间的对比。MartinSchubert解释道，“我们也将期待其他的实验，更进一步研究偏压条件下LED在干些什么”