近期，激光芯片赛道的融资消息不断。

公开信息显示，2025年7月刚开始，短短一周内，三家光芯片头部企业相继宣布完成亿元级大额融资，显示出资本对激光芯片领域的高度关注与青睐。

2025年7月3日消息称，常州纵慧芯光半导体科技有限公司宣布获东阳光控股领投的数亿元资金，资金将用于FabX产线投产及光通信市场开拓；

7月1日，北京飓芯科技有限公司完成3亿元B轮融资，由国家制造业基金联合领投，加速氮化镓激光芯片产业化；

与此同时，也是在7月份，光本位智能科技（上海）有限公司也宣布完成新一轮融资，这半年内再获敦鸿资产等国资基金加持，公司估值突破10亿元，此次融资将用于推动光计算芯片商业化落地。

事实上，密集资本注入背后，是国产光芯片技术的关键性突破。

其中，纵慧芯光FabX产线攻克3英寸化合物半导体工艺，年产能跃升至5000万颗；飓芯科技突破氮化镓缺陷控制技术，实现千万级高功率芯片出货；光本位科技将光子存算芯片矩阵规模跨越式的扩展。

还有值得一的是，7月8日，科创板四大中国的光芯片企业——德科立、长光华芯、仕佳光子、源杰科技，也罕见集体发声，宣布100G EML芯片量产、薄膜铌酸锂芯片出海等成果。

当前，在自动驾驶、AI大模型、6G通信的算力洪流下，光芯片正从“实验室星辰”蜕变为“产业引擎”。随着头部产业资本与国家队基金重仓布局，中国激光芯片的国产化替代与全球化竞合，已进入新一轮加速周期。

2025年7月3日，国产光芯片企业常州纵慧芯光半导体科技有限公司完成数亿元融资，本轮融资由广东东阳光科技控股股份有限公司领投，老股东永鑫方舟、耀途资本跟投。自2015年成立以来，纵慧芯光深耕垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片、光通信激光芯片等领域，产品已应用于消费电子、3D感知、自动驾驶等场景，市场前景广阔。

本轮融资将重点投向FAB产线建设、新产品研发及光通信市场开拓。其中，总投资5.5亿元的FabX项目尤为关键——该项目规划建设一条年产5000万颗芯片的3英寸化合物半导体光芯片产线，配套先进研发与测试中心，占地约2.8万平方米，预计2025年全面投产。

届时，产线将具备大规模制造砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）激光芯片的能力，为AI数据中心、车载激光雷达等高带宽、高速率场景提供核心支持，助力纵慧芯光提升全球市场竞争力。

如果说纵慧芯光是“厚积薄发”的代表，那么，北京飓芯科技有限公司的融资则更像“十年磨一剑”的突破。

7月1日，这家由深耕氮化镓（GaN）激光芯片20余年的博士团队创立的企业，宣布完成3亿元B轮融资，由深创投制造业转型升级新材料基金、国风投新智基金联合领投，广发信德、盛景嘉成参与投资，老股东荷塘创投持续加注。

据悉，氮化镓激光芯片素有“光电子领域明珠”之称，广泛应用于激光电视、投影、工业焊接、AR/VR等领域，但长期被日美企业垄断。

飓芯科技的核心突破始于对“缺陷控制”与“漏电击穿”两大技术瓶颈的攻克：团队通过精确控制每平方厘米数百万个缺陷的分布，并设计新型防漏电结构，最终实现长寿命、高性能芯片的量产。

2004年，飓芯科技团队在国内首次实现405nm波长氮化镓基激光器的电注入激射，填补国内空白；2023年建成国内首条GaN半导体激光芯片量产线；2024年率先实现大功率芯片批量供货，目前已稳定出货数千万颗，产品覆盖紫、蓝、绿光多功率段，成功替代进口，应用于激光电视、有色金属焊接、激光手术、AR通讯等领域。

本轮融资将用于柳州基地产能扩建、产品升级及市场拓展，深化产业链协同，加速从技术追赶到产业引领的跨越。

2025年7月，成立仅3年的光本位智能科技（上海）有限公司，宣布完成新一轮融资，由敦鸿资产领投，浦东创投集团旗下浦东科技天使母基金、苏州未来天使产业基金、张江科投等国资基金联合跟投，老股东中赢创投持续加注，慕石资本担任独家财务顾问。

值得注意的是，这是光本位科技半年内完成的第二轮融资，距离2024年12月战略轮融资仅过去半年，凸显资本市场对其高度认可。

这家光芯片赛道的“黑马”——半年内完成两轮融资，估值突破10亿元，技术进展更令行业侧目。

光本位科技成立于2022年，是全球首家采用“硅光+相变材料（PCM）”异质集成技术实现存算一体化的企业，核心产品光子存算芯片与光电融合计算卡，聚焦大模型训练/推理、智算中心、自动驾驶等高算力场景。2024年6月，公司完成全球首颗128×128矩阵光计算芯片流片，峰值算力达1700TOPS，功耗仅为电芯片的1/10，延迟显著降低；目前正推进256×256芯片流片与第一代光电融合计算卡封测，512×128产品设计也在同步开展。

凭借顶尖团队与领先技术，光本位科技已与国内一线互联网公司合作验证光计算系统，构建产业生态。本轮融资将进一步加速技术落地，推动光计算从“技术突围”走向“产业引领”。

在算力需求爆发式增长的背景下，光芯片作为光通信的核心部件，其自主可控与创新发展至关重要。

7月8日，来自科创板的德科立、长光华芯、仕佳光子、源杰科技四家光芯片企业高管罕见同台，分享了国产化进程中的关键进展：德科立的薄膜铌酸锂芯片获海外订单；长光华芯100G EML实现量产，200G EML进入送样阶段；仕佳光子打破AWG波分复用芯片垄断，布局800G/1.6T光模块；源杰科技自研硅光光源2024年向400G/800G硅光模块出货超百万颗，200G PAM4 EML完成开发。

目前，国内光芯片产业链已逐步实现III-V族DFB、EML等核心芯片的自主可控，并向高端产品国产化加速迈进。面对光通信产业的强周期性与快速技术迭代，企业正通过“技术+生态+现金流”构建护城河。

在全球化布局上，中国的光芯片企业从“国产替代”向“全球竞合”转变：德科立海外构建一体化网络，长光华芯计划国际并购，仕佳光子泰国建设产线，源杰科技凭高端技术拓展海外份额。

可以预见的是，未来，随着技术迭代和协同合作，将进一步助力国产光芯片在全球竞争中占据主动，中国的光芯片企业有望在未来的国际市场取得更大突破。