华工激光自主研发的LDF-20W红外激光晶圆切割系统采用红外激光光源,切割速度快,成品率高。无接触式加工避免加工产生的应力,可以有效提高晶粒的切割质量和效率,加工后的芯片具有优良的电学特性。配有图像监视手动定位系统,能实现快速定位切割。
一、技术特点
1、继承了全球广泛使用的旋转刀片式切割机的优点,并提高产能效率和芯片良品率
对于单台面玻璃钝化二极管晶圆的切割速度达到了150mm/s,是传统刀片划片机正切速度的15~20倍、背切速度的3~5倍。拥有较高良品率并提高产能效率。
2、操作更便利,功能更齐全
配置了液晶显示器和图形化的用户界面GUI,并采用全球广泛使用的旋转刀片式切割机的晶圆校准对位方式,提高了操作通用性和便利性。
3、提高加工品质
将激光能量于极短的时间内聚集在微小区域,使硅材料升华、蒸发的无接触式加工方法,无机械应力产生,有效减少芯片背崩及微裂纹。激光切割的GPP芯片与刀片切割相比HTRB高温反偏漏电流小。
4、减少电力消耗量,无需切割用水,低成本运行
使用最新的低能耗长寿命激光发生器,使得整机电力消耗量小于1.5KW,与旋转式刀片切割机相比,电力消耗量最大可减少70%,无需切割用去离子水,无刀片、蓝膜耗材,实现低成本运行。
二、应用领域
应用于半导体制造行业单台面玻璃钝化二极管晶圆的切割划片。
1、二极管GPP晶圆
2、单台面二极管晶圆
三、技术参数
序号 |
参数 |
|
值 |
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最大加工范围 |
X轴直线电机行程 |
300mm |
Y轴直线电机行程 |
300mm |
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θ轴 |
任意角度旋转 |
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2 |
工作台定位精度 |
定位精度 |
0.006mm |
重复定位精度 |
0.004mm |
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旋转轴分辨率 |
0.001度 |
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3 |
划片参数 (GPP单台面二极管晶圆片背面划片方式) |
切割深度 |
60um-100um |
切割速度 |
0-150mm/s |
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切割线宽 |
0.050-0.070mm |
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4 |
切割方式 |
双向切割 |
X方向往复切割 |
对位方式 |
手动对位 |
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5 |
激光发生器 |
发生器类型 |