来自中国光学期刊网消息：Cymer公司推出了专为ASML光刻扫描仪配置的40W极紫外（EUV）光源，工作周期高达每小时刻蚀30张硅晶片，工作功率提高到55W时，性能更为优异。
 
      2月底，这家总部位于圣地亚哥市的公司在SPIE先进光刻技术展览会（美国加利福尼亚州圣何塞市）上展示了其最新研究成果。展览会上，Cymer公司详细介绍了这套EUV光源的研发工作。例如，模拟结果表明，多个晶圆批次的芯片成品率超过了99.7%；该光源可以±0.2%的输出剂量稳定性连续工作超过6个小时，满足商业扫描仪的要求。公司还宣称，该光源的功率可在一个小时内逐步提高到55W，模拟的芯片成品率为97.5%。公司计划稳步提高EUV光源的功率，使其达到60W，并保持当前的工作周期和输出剂量稳定性。目前，Cymer公司正在与ASML公司洽谈收购事宜。
 
      今年，ASML公司将帮助芯片制造商升级现有光源，使其到2014年中期具备每小时刻蚀70张晶圆的能力。要到达这一目标，输出功率必须达到105W，而ASML扫描仪在升级之前，最初预计可提供80W的光源。
 
      现在，三台正在接受测试的EUV光源都配有主振荡器功率放大器（MOPA）升级和 “预脉冲”系统，可在超高功率CO2激光器轰击光源内的锡液滴靶丸之前将其尺寸扩大。
 
      扩大后的靶丸物理上可与激光更好地进行匹配，当锡被轰击时，光源腔就能产生EUV辐射；接着，反射光学系统直接将光射向需要刻蚀的硅晶圆。众所周知，使用预脉冲可提高整体的EUV光产生效率，经济效益更高。
 
      就EUV光刻的经济效益而言，如何保护光学薄膜免受光源等离子体腔中产生的碎片影响，是另一个关键要求。Cymer公司宣称，他们已经证实，所开发的60W光源发射出40亿个EUV脉冲后，没有出现任何早期损害机制的迹象。
 
      距离Cymer公司竞争对手Gigaphoton公司开发出一种类似“预脉冲”的方式，已经有一段时间。上个月，Gigaphoton宣称，其开发的光源已经能够实现20W的峰值功率输出。现在，虽然Cymer公司被公认处于EUV光源发展的前沿，但是ASML公司预计在未来的几年里EUV光刻工具的出货量是适度的（刚刚超过10台），2015年之后其出货量将大幅上升。
 
      针对EUV，Cymer公司的目标是赶超ArF准分子激光器的功率增长速度。在半导体行业当前这一代光刻扫描仪的光源中，ArF准分子激光器占据主导地位。Cymer公司生产的准分子激光器从1W的光源开始做起，目前其最新一代产品的功率可达120W——Gigaphoton公司所达到的功率水平。