申报项目：

DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统

主要用途：炬光科技于2021年正式发布DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统，该产品主要适用于动态表面退火、激光尖峰退火、膜层退火、材料表面处理。

激光退火（Laser Annealing）是28nm及以下逻辑芯片制造前道工序中不可缺少的关键工艺之一。该工艺采用近红外波段半导体激光光源，通过多组不同功能的激光光学整形系统及光学匀化系统，在工作距离下可达成12mm*70μm的极窄线激光光斑，将形成的高能量密度极窄激光光斑照射到晶圆表面，在不到1毫秒的时间内将表层原子层加热到1000°C以上再急速冷却，从而有效减少前道工序中产生的晶圆电极缺陷，提高产品性能，提升晶圆生产良品率。

产品特点

炬光科技推出的DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统，结合了产生光子的共晶键合技术、激光光源热管理技术、热应力控制技术以及调控光子的激光光束转换技术和光场匀化技术，可生成一条线宽70μm，长宽比达160:1的近红外波段极窄线光斑，提供高达1800W/mm2的连续能量输出，在光斑长度方向上可达到＞95%的光斑均匀性和＞98%的连续输出能量稳定性，同时还具备工艺点温度监测，输出光束质量在线检测等附加功能。

产品创新

随着半导体制造技术的不断发展和超大规模集成电路设计制造能力的不断提升，激光退火技术逐渐取代传统炉管退火技术，成为半导体制造领域的主流技术。激光退火相对于传统退火，具有选区加热、闭环精准控温、高能量密度、连续能量输出稳定等特点，能够满足均温退火、尖峰退火和快闪退火等多种退火工艺需求。

炬光科技DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统，结合产生光子、调控光子的多项专利技术，采用近红外波段半导体激光光源，通过多组不同功能的激光光学整形系统及光学匀化系统，将形成的高能量密度极窄激光光斑照射到晶圆表面，在不到1毫秒的时间内将表层原子层加热到1000°C以上再急速冷却，从而减少晶圆电极缺陷，提高产品性能，提升晶圆生产良品率。

市场情况

炬光科技推出的DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统在2021年正式发布并推向市场，产品指标达到了国际先进水平，打破了海外企业对激光晶圆退火设备的垄断，获得了国内集成电路制造企业的多套重复订单，取得了良好的社会效益和经济效益。