申报项目：

α-BBO晶体

α-BBO晶体是一种性能优异的双折射材料，主要用于制作格兰棱镜、偏振分束器、光隔离器等。

产品主要技术指标描述

毛坯尺寸≥Φ55×45mm³，波前畸变≤λ/8@632.8nm，体吸收≤20ppm/cm@1064nm。

产品特点

本产品在190-3500nm的宽透过范围内具有较大的双折射，具有高损伤阈值和稳定的物理化学特性，同时具有内部缺陷少，波前畸变小，体吸收小的特点，是新一代高功率磁光隔离器的关键核心元件。

产品创新

公司拥有省级企业技术中心，中心拥有研究开发人员197人，其中硕士研究生25人，本科生124人。公司每年投入销售收入10%左右用于研发中心建设。公司组建的α-BBO晶体项目团队在提拉法晶体生长方面具有相当丰富的实战经验，先后成功研发过各种激光晶体和磁光晶体，如掺杂CALGO晶体、掺杂CaF2晶体、掺杂KGW晶体、掺杂KYW晶体、TGG晶体、TSAG晶体等。依托这个强大的研发项目团队，公司成功开发出性能更加优异的a-BBO晶体的生长工艺，并实现量产。产品创新点如下：

1、通过特殊的离子掺杂，保证晶体结构稳定的同时，改善了内部应力，减少了晶体加工过程中的开裂。

α-BBO晶体在925℃时会发生相变，转化为β-BBO晶体，结构的改变，会产生较大的结构应力，会导致晶体严重开裂，项目团队对α-BBO原料进行特殊的离子掺杂，使得α-BBO晶体从高温降至低温的情况下不发生相变，仍然保持α相晶体结构，从而避免了因结构变化而导致的晶体严重开裂现象。另一方面，由于晶体高温生长，内部不可避免存在热应力，在后续的切割抛光等加工过程容易导致开裂，掺杂离子的加入，有效改善了内部的热应力，极大减少了后续加工过程中发生的开裂现象，对于提高成品率、降低成本起到了巨大的贡献作用。

2、通过精确的自动提拉控制，结合各个工艺参数的优化，使得晶体内部缺陷极少，光学均匀性高，从而使晶体具备体吸收小、波前畸变小的特点。 

完美的晶体需要各个生长工艺参数的最佳组合，项目团队利用DOE实验设计，对生长温场、提速、拉速的不同组合进行大量研究，最终确定一套不同工艺参数最优组合的自动法提拉控制工艺，生长出内部缺陷极少的α-BBO晶体，通过对其性能测试，显示其均匀性高、吸收小、波前畸变小的特点，完全满足其作为双折射晶体器件的高功率应用要求。

市场情况

随着激光器不断快速地朝着更高输出功率方向发展，常规磁光器件中使用的YVO4晶体因为较高的体吸收造成的热透镜效应已经成为一个难以忽视的瓶颈。α-BBO极低的体吸收水平以及较高的双折射率使其在高功率应用领域中成为了炙手可热的晶体材料。国内能够批量提供α-BBO晶体及器件的厂家屈指可数，福晶科技以高质量、低成本的较大优势，牢牢掌握着国内外α-BBO晶体及器件市场的主动权，同时以优质的售后服务，获得了客户的青睐和信任。