近日获悉，安徽格恩半导体有限公司（简称“格恩半导体”）新一轮总额10亿元人民币的融资已基本落定。本轮融资由股权融资和债权融资两部分构成，其中股权融资6亿元，债权融资4亿元。资金将重点用于氮化镓（GaN）基激光芯片等领域的技术研发投入、产能扩张。
作为国内少数掌握氮化镓激光芯片核心技术的企业，格恩半导体长期专注于化合物半导体激光芯片及器件的自主研发与生产，先后荣获“国家专精特新‘小巨人’企业”“国家高新技术企业”等荣誉奖项和称号，同时通过 ISO 9001、ISO 14001和IATF 16949等管理体系标准认证。截至目前，公司累计申请专利500余项，其中发明专利占比90%以上，并连续两年（2023年、2024年）蝉联中国激光技术专利领域前两位，成为全球少数的氮化镓激光领域的IDM企业。该公司在氮化镓激光芯片领域已实现许多项关键技术突破，产品性能达到国内领先、国际先进水平，广泛应用于测距指示、特种照明、医疗美容、工业加工、通信传感、科研军工等多个领域，获得了市场和客户的广泛认可。
本轮融资由多家国有资本投资机构主导，并吸引了多家知名社会化投资机构共同参与，充分体现了各方对第三代半导体产业的高度重视，也彰显了对格恩半导体技术实力、产业布局及未来成长潜力的坚定信心。
在当前国产替代进程加速、半导体产业快速发展的背景下，格恩半导体表示，公司将始终扎根六安、布局合肥、辐射全国、进军海外，持续加大技术创新力度，提升产能与交付能力，巩固在高端半导体激光器领域的竞争优势，致力于成为全球领先的半导体激光器供应商，为推动我国半导体产业高质量发展贡献更大力量。
