三星强化 HBM4 量产能力,飞秒激光切割成关键工艺
CNMO 科技 来源：激光制造网
3 月 23 日，据韩媒报道，三星电子已开始采购应用飞秒激光技术的晶圆切割设备。这些设备包括用于在晶圆上开槽的 " 开槽 " 设备与一次性完成切割的 " 全切 " 设备，仅初期导入数量就至少达 10 台以上。设备计划引入进行先进半导体封装的天安园区，目前正在准备采购订单。
据 CNMO 了解，三星电子还计划通过追加订单，尽可能增加设备导入数量。考虑到晶圆切割设备交货周期长达 8 个月以上，此举旨在提前确保设备产能的同时，大幅扩大基于飞秒激光的晶圆切割工艺应用范围。知情人士解释称，三星电子正与合作伙伴讨论在初期导入之后持续扩大飞秒激光开槽与全切设备导入的方案，试图将大部分晶圆切割工艺转向下一代技术。
半导体在晶圆上完成电路刻印的前道工序后，必须经过切割分离为独立芯片形态的工序。传统切割工艺大多通过金刚石砂轮进行机械切割，部分虽采用激光，但作为精密度关键指标的激光脉冲仅停留在纳秒级别。飞秒激光可产生比纳秒更快的千万亿分之一秒级别的激光脉冲，相比传统机械方式或纳秒激光，能够实现更精密的切割，可在不影响线宽极窄的先进半导体电路或布线的情况下，最大限度减少切割过程中产生的颗粒物，从而将最终半导体的质量提升至最高水平。
三星电子于去年第二季度首次在半导体切割工艺中引入飞秒激光切割，当时设备仅有数台。在验证了性能与生产力改善成果后，公司决定扩大应用。三星计划将飞秒激光切割优先应用于 HBM4 制程，以提高 HBM4 的良率与生产效率。
近期三星电子已开始量产供应 HBM4。随着进入大规模生产转换阶段，预计对飞秒激光切割的需求也将同步扩大。此外，据称三星还在考虑将飞秒激光切割引入 NAND 闪存与系统半导体等 DRAM 以外的产品。三星电子的飞秒激光切割供应链将由韩国企业 EO Technics 与日本 Disco 共同承担。
申明
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