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锑化物高功率半导体激光器研究取得进展

Nick 来源:中国科学院网站2018-08-29 我要评论(0 )   

锑化物半导体激光可以实现1.8μm-4μm的中红外波段激光输出,具有体积小、效率高、电驱动直接发光等优点,是中红外激光技术领域的前沿研究热点,在红外光电技术、化学气...

锑化物半导体激光可以实现1.8μm-4μm的中红外波段激光输出,具有体积小、效率高、电驱动直接发光等优点,是中红外激光技术领域的前沿研究热点,在红外光电技术、化学气体及危险品监测等领域具有重要应用前景,并可作为中红外光纤激光器的种子源和同带泵浦光源。然而,由于锑化物半导体材料较低的热导率和高空穴迁移率导致的侧向载流子泄露,使得锑化物半导体激光器效率低、光束质量差、温度稳定性差。

 

  该工作获得国家自然科学基金委重大项目“锑化物低维结构中红外激光器基础理论与关键技术”的资助。

图1. 锑化物微脊宽区(MSBA)波导激光器结构示意图 

图2. 微脊波导对锑化物半导体激光器功率、阈值、效率温度稳定性的改善 

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锑化物半导体激光
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