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紫外激光晶圆划片机

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    类型 全新商品
    品牌 华工激光
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    添加时间 2010-12-14 过期时间 未设置过期时间

    华工激光自主研发的LDU6紫外激光晶圆划片系 统具有国际先进水平。采用紫外激光冷光源,热影响区小,切线质量优越。无接触式加工避免加工产生的应力,可以有效提高晶粒的切割质量和效率,加工后的芯片 具有优良的电学特性。配有手动切割和CCD图像处理系统,能实现手动切割或自动切割。

    紫外激光晶圆切割机

    一、技术特点

    ■ 先进的硬件控制技术和智能化软件
    ■ 高质量光束,焦点小,激光器寿命长
    ■ 图像自动识别处理和定位功能
    ■ 高精度二维运动平台,高精度旋转平台
    ■ 整机高可靠性、高稳定性、高安全性
    ■ 切割后晶粒质量优越和极高的成品率
    ■ 按键面板控制,操作简单便捷

    先进的硬件控制技术和智能化软件  

    先进的硬件控制技术和智能化软件 

    高质量光束,焦点小

    高质量光束,焦点小

    高精度二维运动平台

    高精度二维运动平台

    高精度旋转平台

     高精度旋转平台

    图像自动识别处理和定位功能

    图像自动识别处理和定位功能

    按键面板控制,操作简单便捷 按键面板控制,操作简单便捷

    按键面板控制,操作简单便捷

     

    二、应用领域

        应用于半导体制造行业单、双台面玻璃钝化二极管晶圆,单、双台面可控硅晶圆,IC晶圆切割等半导体晶圆片的切割划片。

    二极管GPP晶圆 可控硅晶圆
    1、二极管GPP晶圆                 2、可控硅晶圆

    直线六边形GPP晶圆硅放电管晶圆

    3、双台面二极管晶圆                       4、直线六边形GPP晶圆


    图一:各种GPP晶圆外形图

    典型的GPP工艺生产的二极管芯片,经激光切割后的图样典型的GPP工艺生产的二极管芯片,经激光切割后的图样

    图二:典型的GPP工艺生产的二极管芯片,经激光切割后的图样

     

    典型的GPP晶圆切割后的单个芯片

         四边形GPP芯片     六边形GPP芯片     单台面GPP芯片(单台面)   双台面芯片(双台面)

    图三:典型的GPP晶圆切割后的单个芯片

    三、技术参数


    [LDU6] Wafer UV-Laser Dicing System

    序号 参数  

    1

    最大行程范围

    X轴

    250mm

    Y轴

    300mm

    θ轴

    任意角度旋转

    最大加工尺寸

    4英寸

    2

    系统精度

    定位精度

    0.004mm

    重复定位精度

    0.002mm

    旋转精度

    0.001度

    最小光斑直径

    0.025mm

    3

    切割速度
    (视材料而定)

    切割深度

    0~0.5mm

    切割速度

    0~80mm/s

    切割线宽

    0.02~0.06mm

    4

    激光发生器

    发生器类型

    Q开关半导体固体脉冲激光器

    重复频率

    1~255 KHZ

    波长类型

    不可见紫外短波长激光

    5

    电源要求

    电源

    220V AC ± 10%,50-60Hz

    6

    压缩空气

    供应压力

    范围:0.5~0.8Mpa (5.0~8.0kgf/cm2)

    7

    外型尺寸
    (W宽×D厚×H高)

    主机器(突起物除外)

    880 W ´ 1,050 D ´ 1,600 H mm

    冷水机器尺寸

    440 W ´ 533 D ´ 264 H mm

    烟雾净化器

    430W×490D×1,015H mm

    8

    机器重量

    主机重量

    650Kg

    9

    环境要求

    环境温度

    15~35℃

    相对湿度

    10%~80%,无冷凝

    其他

    无腐蚀性气体或液体,无强磁场、强电场

     

     

     
     
     
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