阅读 | 订阅
阅读 | 订阅
核心器件

EPC eGaN®技术在性能及成本上实现质的飞跃

来源:激光制造网2017-03-24 我要评论(0 )   

EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),对比前一代的产品,这些晶体管的尺寸减半,而且性能显著提升

 EPC公司宣布推出EPC2045EPC2047氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET),对比前一代的产品,这些晶体管的尺寸,而且性能显著提升

全球增强型氮化镓晶体管领袖厂商、致力于开发创新的硅基功率场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7  mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶体管,在提升产品性能之同时也可以降低成本。100 V的EPC2045应用于开放式伺服器架以实现48 V至负载的单级电源转换、负载点(POL转换器、USB-C及激光雷达(LiDAR)等应用。200 V 的EPC2047的应用例子包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器

GeN5_副本

100 V、7 mΩ的EPC2045在性能/成本上继续扩大与等效硅基功率MOSFET的绩效差距。与前一代EPC2001C eGaN FET相比, EPC2045的芯片尺寸减半。而200 V、10 mΩ的EPC2047eGaN FET的尺寸也是减半,如果与等效硅基MOSFET相比,它的尺寸减小达15倍。
 

设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件! eGaN产品采用芯片级封装,比MOSFET使用塑胶封装可以更有效地散热,这是由于使用芯片级封装的器件可以直接把热量传递至环境,而MOSFET芯片的热量则聚集在塑胶封装内。
 

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称:「我们非常高兴利用创新的氮化镓技术,开发出这些正在改变半导体行业发展的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。」Alex继续说道:「面向目前采用MOSFET技术的各种应用,这些全新eGaN产品展示出EPC及其氮化镓晶体管技术如何提升产品的性能之同时能够降价。此外,我们将继续发展氮化镓技术以推动全新硅基器件所不能够支持的最终用户应用的出现。这些全新晶体管也印证了氮化镓与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在逐渐扩大。」 
 

此外,我们也为工程师提供3块开发板以帮助工程师易于对EPC2045及EPC2047的性能进行评估,包括内含100 V的EPC2045晶体管的开发板(EPC9078及EPC9080)和内含200 V的EPC2047的开发板(EPC9081)。
 

eGaN产品的发展进入“良性循环”(virtuous cycle)的轨度

氮化镓工艺所具备的优势是氮化镓器件比等效硅基器件具备低很多的电容,因此可以在更高频、相同的阻抗及额定电压下,实现更低的栅极驱动损耗及更低的开关损耗。与最好的等效MOSFET相比,EPC2045工作在48 V–5 V电源转换、500 kHz开关频率时,功耗降低30%及效率提升2.5%。

与硅基MOSFET相反的是,eGaN FET虽然小型很多,但它的开关性能更高,代表eGaN产品的前景是该技术进入“良性循环”的轨度,预期氮化镓器件将会继续小型化而其性能可以更高。

我们看到这些全新产品在性能、尺寸及成本上的改进是由于利用了创新的方法,当击穿时在漏极区域减弱电场并且同时大大减少陷阱,使之所俘获的电子减少。
 

价格及供货

EPC2045(100 V、7mΩ)晶体管在批量为1,000片时的单价为2.66美元。EPC2047(200 V、10 mΩ)批量为1,000片时的单价为4.63美元。每块开发板的单价为118.25美元。各晶体管及开发板都可以立即从Digikey公司购买,网址为http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en
 

宜普电转换公司

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流-直流转换线电跟踪、射频传送、功率逆激光雷达LiDARD放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

 

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

转载请注明出处。

暂无关键词
免责声明

① 凡本网未注明其他出处的作品,版权均属于激光制造网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。获本网授权使用作品的,应在授权范围内使 用,并注明"来源:激光制造网”。违反上述声明者,本网将追究其相关责任。
② 凡本网注明其他来源的作品及图片,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本媒赞同其观点和对其真实性负责,版权归原作者所有,如有侵权请联系我们删除。
③ 任何单位或个人认为本网内容可能涉嫌侵犯其合法权益,请及时向本网提出书面权利通知,并提供身份证明、权属证明、具体链接(URL)及详细侵权情况证明。本网在收到上述法律文件后,将会依法尽快移除相关涉嫌侵权的内容。

网友点评
0相关评论
精彩导读